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录精解读-具有改进的亮度和颜色可调性的钙钛矿-氮化镓串联发光二极管具有不同亚像素的串联结构有望用于超高分辨率全彩显示器中基于钙钛矿的多色电致发光(EL)器件。当DPe为零时，有钱只开启GaNLED单元，HLmax为20298cdm-2。

CCD的下限取决于GaNLED的EL和PeLED的光致发光(PL)的组合（图2b中所示的EPCE状态），人比表明随着VGaN值的增加而发生绿移，人比这使得CCD的下限不同，这些结果归因于PeLED单元的增强的PL绿色强度。命运图4a显示了PWM模式下不同DPe值的混合亮度。所提出的串联LED的结构如图1a所示，微语其中GaNLED和PeLED单元通过ITO-ICE作为共阳极连接，其中Cr/Al/Ti/Pt/Au和LiF/Al是单独的阴极分别用于GaNLED和PeLED。

在本工作的工作中，录精通过固定两个单元的电压幅度来精确调制PWM模式下Pe-GaN串联LED的亮度和发光颜色。HLmax和CE下降的一个可能原因是辐射复合和电流注入受到EPCE效应的抑制，有钱这在之前对只有一个复合中心的钙钛矿基多色EL器件的研究中很少考虑。

图3.直流模式下Pe-GaN串联LED的亮度可调性©2022TheAuthorsPWM模式下的亮度和颜色可调性考虑到同时驱动GaNLED和PeLED单元时EPCE效应会降低器件性能，人比在此，人比本工作提出了一种简单有效的策略来抑制Pe-GaN串联LED的EPCE效应，即通过调制方波电压交替驱动各单元的PWM模式来避免EPCE效应。

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